无位错 Ge 与 GeOI 晶圆的光学表征
介观与纳米尺度物理
2015-12-29 v1
摘要
利用斜入射傅里叶变换红外光谱、衰减全反射、激光拉曼散射以及线性和非线性光学透射，对最先进的无位错锗和绝缘体上锗晶圆的光学性质进行了表征。在 n 型 Ge 中，除了在本征 Ge 中观察到的振动模式外，在非垂直入射下还观察到了可能源于碳的 535 cm-1 带和 668 cm-1 强峰。尽管在低能区存在强的重空穴到轻空穴的吸收带，668 cm-1 峰在 p 型 Ge 中也被观察到。在斜入射下，两类晶圆中普遍观察到了新带的出现和带强度的增强。GeOI 表现出强烈的无序诱导 LO-TO 耦合模式，该模式只能在非垂直入射下观察到。近带边光学吸收揭示了与掺杂相关的无序和带隙收缩，这也得到了 301 cm-1 处 Ge-Ge 单声子线展宽的支持。在 n 型 Ge、p 型 Ge 和 GeOI 晶圆中观察到了不同的非线性光学吸收行为。p 型 Ge 对 10.6 微米波长的 CO2 激光线变得透明，而 n 型 Ge 中的透射功率则随 UV-VIS 泵浦功率的增加而降低。
引用
@article{arxiv.1512.08005,
title = {Optical characterization of dislocation free Ge and GeOI wafers},
author = {S. Kalem and I. Romandic and A. Theuwis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.08005},
year = {2015}
}