自组装分子单层掺杂的 GaAs
材料科学
2024-11-05 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
自组装分子单层掺杂因其共形、无损和自限制的特性而持续成为研究焦点。在此，我们展示了通过 (NH4)2Sx 溶液在 GaAs 中进行硫单层掺杂。Van der Pauw 技术、二次离子质谱和低温霍尔效应测量表明，硫掺杂剂浓度和电子激活率分别为 4×10²⁰ cm⁻³ 和 77.6%。硫掺杂 GaAs 的施主能级位于导带下方 68 meV 处。基于该工艺，我们成功地在高掺杂 p 型 GaAs 衬底上制备了 p-n 结。
引用
@article{arxiv.2411.02235,
title = {GaAs doped by self-assembled molecular monolayers},
author = {Zhengfang Fan and Yumeng Liu and Yizuo Wang and Shuwen Guo and Li He and Yaping Dan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.02235},
year = {2024}
}
备注
13pages, 5figures