化学束外延中用于GaAs掺杂的H$_{2}$稀释前驱体
材料科学
2023-10-09 v1
摘要
利用H稀释的DTBSi和CBr分别作为Si和C的气相前驱体，在化学束外延生长的GaAs层中实现了宽范围的n型和p型掺杂水平。我们表明，可通过改变稀释前驱体的浓度或通量来调控掺杂水平。具体而言，通过霍尔效应测量确定，Si的载流子浓度达610–1.210 cm，C达910–3.710 cm。发现Si和C的并入随相应稀释前驱体通量的变化分别遵循一阶和四阶幂律。电子与空穴迁移率值对载流子浓度的依赖关系，以及通过低温（12 K）光致发光光谱对层的分析表明，使用H稀释DTBSi或CBr对GaAs的电学与光学性质无影响。
引用
@article{arxiv.2102.13132,
title = {H$_{2}$-diluted precursors for GaAs doping in chemical beam epitaxy},
author = {K. Ben Saddik and A. F. Braña and N. López and B. J. García and S. Fernández-Garrido},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.13132},
year = {2023}
}