层状 beta-PdBi2 单晶的化学掺杂与高压研究
超导电性
2016-02-16 v1
摘要
我们系统地生长了层状化合物 beta-PdBi2 的大尺寸单晶，包括空穴掺杂的 PdBi2-xPbx 和电子掺杂的 NaxPdBi2，并研究了它们的磁学与输运性质。对 PdBi2、PdBi1.8Pb0.2 和 Na0.057PdBi2 的霍尔效应测量表明，在所有样品中电荷输运均由电子主导。在 PdBi2-xPbx 中通过 Pb 掺杂电子浓度大幅降低，而在 NaxPdBi2 中通过 Na 插层电子浓度增加，表明 Pb 实现了有效空穴掺杂而 Na 实现了电子掺杂。我们观察到超导转变温度 (Tc) 从未掺杂 PdBi2 的 5.4K 单调下降至空穴掺杂 PdBi2-xPbx 中 x > 0.35 时的低于 2K。同时，在电子掺杂 NaxPdBi2 中也观察到 Tc 随 Na 插层快速下降，这与理论预期不符。此外，磁电阻与霍尔电阻进一步揭示了在 Na 插层 PdBi2 样品中 50K 以下可能存在类自旋密度波 (SDW) 转变的证据。从而建立了从空穴掺杂到电子掺杂的完整相图。同时，对未掺杂 PdBi2 的高压研究表明，Tc 在压力下被线性抑制，dTc/dP 系数为 -0.28K/GPa。
引用
@article{arxiv.1506.05824,
title = {Chemical doping and high pressure studies of layered beta-PdBi2 single crystals},
author = {Kui Zhao and Bing Lv and Yu-Yi Xue and Xi-Yu Zhu and Liangzi Deng and Zheng Wu and C. W. Chu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.05824},
year = {2016}
}
备注
11 pages, 7 figures