化学电容构型下对平面 AgF2 单层的电荷掺杂
超导电性
2023-04-19 v1 材料科学
强关联电子
摘要
银(II)氟化物平面单层可通过在合适衬底上的外延沉积获得，最近被预测具有非常强的反铁磁超交换作用，并在掺杂至最优水平时具有常压超导的巨大潜力。研究表明，AgF2 可成为一种以磁性为胶合机制的高温超导体，在最佳掺杂下临界超导温度接近 200 K。在当前工作中，我们计算出最佳掺杂对应于每化学式单位 14% 的空穴，即与铜氧体 II 相当接近。此外，利用 DFT 计算，我们表明平面 AgF2 单层确实可以使用最近提出的化学电容构型受控掺杂。与 Ag III 形成相关的空穴掺杂在本工作所探索的构型中被证明难以实现，因其处于氟阴离子电荷稳定性的边缘，且不影响 d_{x^2-y^2} 流形。然而，在电子掺杂情况下，调控掺杂层数目与隔离层厚度等不同因素，可精细调节掺杂水平——并同时调控 T_C——从欠掺杂到过掺杂区间（方式类似于 Nd2CuO4 类似物的化学掺杂）。
引用
@article{arxiv.2201.03415,
title = {Charge doping to flat AgF2 monolayers in a chemical capacitor setup},
author = {Daniel Jezierski and Adam Grzelak and XiaoQiang Liu and Shishir Kumar Pandey and Maria N. Gastiasoro and José Lorenzana and Ji Feng and Wojciech Grochala},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.03415},
year = {2023}
}
备注
23 pages, 18 figures