层状 AgF2 中的巨大功函数
材料科学
2020-10-28 v1 强关联电子
摘要
AgF2 是一种层状材料，也是关联电荷转移绝缘体，其电子结构与铜基高温 Tc 超导体母体化合物非常相似。它作为强氧化剂也颇具趣味。本文给出其电子性质的第一性原理计算（采用 slab 几何），包括其 (010) 表面的功函数（7.76 eV），这似乎是已知材料中最高者之一，甚至超过氟化金刚石（7.24 eV）。我们证明 AgF2 将呈现破带隙型能带对齐，若可避免化学反应，则变为电子掺杂并促进在许多宽禁带绝缘体中注入空穴。提出了涉及 p 型与 n 型超导体的新型结器件。结合制备实现高温 Tc 超导的平坦 AgF2 单层的可能性讨论了化学反应问题。作为该方向的第一步，我们研究了孤立 AgF2 单层的稳定性与性质。
引用
@article{arxiv.2006.05695,
title = {Gigantic work function in layered AgF2},
author = {Wojciech Wegner and Kamil Tokár and Jose Lorenzana and Mariana Derzsi and Wojciech Grochala},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.05695},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 4 figures, 1 table, and electronic supplement