重$n$型掺杂锗：低温磁电阻特性
材料科学
2020-09-15 v1
摘要
我们在此报告了金属-非金属转变金属侧重磷掺杂锗磁电阻特性的实验与理论研究。通过低温测量观察到由磁电阻负值构成的反常区，并在广义Drude模型内由于多体效应得到解释。它揭示了低温下磁电阻特性背后的关键机制，从而构成了在基础物理和技术应用中备受关注的材料中对其进行调控的途径。
引用
@article{arxiv.2009.06046,
title = {Heavily $n$-doped Ge: low-temperature magnetoresistance properties},
author = {A. Ferreira da Silva and M. A. Toloza Sandoval and A. Levine and E. Levinson and H. Boudinov and B. E. Sernelius},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.06046},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 7 figures