包覆温度对Ge:P δ掺杂层的影响
介观与纳米尺度物理
2010-01-05 v1 材料科学
摘要
本文对包覆温度对Ge:P δ掺杂层的掺杂剂限制和电学性质的影响进行了系统研究。随着生长温度的升高，我们观察到电学性质增强，同时伴随着磷施主偏析增加，导致δ层轻微展宽。我们证明，在530 °C下实现的台阶流生长在高质量晶体与最小掺杂剂再分布之间提供了最佳折衷，其电子迁移率约为128 cm^2/Vs，载流子密度为1.3×10^14 cm^-2，4.2 K下的相位相干长度约为180 nm。
引用
@article{arxiv.0912.0755,
title = {Influence of encapsulation temperature on Ge:P delta-doped layers},
author = {G. Scappucci and G. Capellini and M. Y. Simmons},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.0755},
year = {2010}
}
备注
Phys. Rev. B, in press (2009)