钾掺杂多烯烟烃薄膜导电性演化
强关联电子
2007-05-23 v1 软凝聚态物质
摘要
我们研究了电子掺杂多烯烟烃 (PEN) 薄膜中温度依赖导电性的演化过程,其中电子浓度通过钾 (K) 嵌入法进行控制。我们发现在浓度达到约 1 K/PEN 时,导电性较高且表现出金属温度依赖性。此时,从钾到 PEN 的电荷转移达到饱和,最低未占据分子轨道处于半填充,导致导电性急剧下降,同时伴随绝缘相的再进入。我们的观察与理论预测一致,表明存在由强电子间相互作用驱动的 Mott-Hubbard 绝缘相.
引用
@article{arxiv.cond-mat/0603261,
title = {Evolution of the conductivity of potassium-doped pentacene films},
author = {M. F. Craciun and S. Rogge and A. F. Morpurgo},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0603261},
year = {2007}
}