Si:P δ 层中 Δ-manifold 的观测与起源
材料科学
2020-03-11 v1
摘要
通过在硅衬底中创建尖锐且密集的磷原子掺杂剖面，在掺杂区域内形成了二维电子气。利用角分辨光电子能谱，探索了通过减小掺杂层厚度（从 4.0 nm 到单层极限）所诱导的量子限制效应。揭示了理论预测但实验上迄今未观测到的、称为 Δ-manifold 的量子阱态的位置。此外，Δ-manifold 内承载的载流子数量被证明受限制势的强烈影响，从而开启了通过调节掺杂层厚度来选择载流子特性的可能性。
引用
@article{arxiv.1911.08274,
title = {Observation and origin of the $\Delta$-manifold in Si:P $\delta$-layers},
author = {Ann Julie Holt and Sanjoy K. Mahatha and Raluca-Maria Stan and Frode S. Strand and Thomas Nyborg and Davide Curcio and Alex Schenk and Simon P. Cooil and Marco Bianchi and Justin W. Wells and Philip Hofmann and Jill A. Miwa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.08274},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 2 figures, 1 table