六方 SiGe 的电学特性表征
材料科学
2025-06-27 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报告了六方硅锗（hex-SiGe）的电学测量结果，这是一种具有直接带隙的 IV 族合金。电接触通过金属合金化形成，掺杂通过离子注入实现。通过固相再结晶，成功恢复了亚稳态的 hex-SiGe 相。无论使用何种金属，由于 hex-SiGe 的费米能级钉扎，n 型上的接触均产生肖特基势垒。总体而言，这构成了将 hex-SiGe 用于光电子学应用的第一步。
引用
@article{arxiv.2506.21159,
title = {Electrical Characterization of hexagonal SiGe},
author = {Isabelle Bollier and Federico Balduini and Marilyne Sousa and Marco Vettori and Wouter H. J. Peeters and Erik P. A. M. Bakkers and Heinz Schmid},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.21159},
year = {2025}
}