外延二维蜂窝状Si$_{6-x}$Ge$_x$合金中的带隙调控
材料科学
2021-01-27 v2
摘要
在本快报中，我们证明可通过将外延硅烯在ZrB(0001)上平面状结构中占据顶位（on-top）的Si原子替换为沉积的Ge原子，形成二维（2D）类硅烯SiGe化合物。对于低于1/6 ML的覆盖度，Ge沉积产生SiGe合金（其中介于0和1之间），其中顶位被Si或Ge原子随机占据。实验观测到的价带顶随逐渐增加源于Ge原子向Si原子的选择性电荷转移。这些成果证明了以类似于其块体对应物的方式在二维SiGe合金中调控带隙的可能性。
引用
@article{arxiv.2003.04612,
title = {Bandgap engineering in an epitaxial two-dimensional honeycomb Si$_{6-x}$Ge$_x$ alloy},
author = {Antoine Fleurence and Yuto Awatani and Camille Huet and Frank B. Wiggers and Steaphan M. Wallace and Takahiro Yonezawa and Yukiko Yamada-Takamura},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.04612},
year = {2021}
}