控制垂直石墨烯纳米片形貌的途径
材料科学
2022-02-02 v1
摘要
本文致力于阐明等离子体工艺参数对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)生长垂直石墨烯纳米片(VGNs)的影响。参数包括衬底温度、微波功率以及等离子体源到衬底的距离。观察到这些可变参数对形貌、生长速率和结晶度有显著影响。因此，这些参数被确定为决定表面反应和生长动力学的决定性因素，从而控制VGNs的最终结构和形貌。发现PECVD生长的VGNs的活化能为0.57 eV。从VGNs的温度依赖生长中观察到通过纳米石墨岛垂直生长的直接证据。这种对VGNs生长的理解不仅有助于等离子体化学下的生长机制，也有利于获得用于场发射和储能应用的受控所需结构。
引用
@article{arxiv.1603.08322,
title = {A route towards controlling the morphology of vertical graphene nanosheets},
author = {Subrata Ghosh and K. Ganesan and S. R. Polaki and M. Kamruddin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.08322},
year = {2022}
}