垂直石墨烯纳米片的演化与缺陷分析
材料科学
2015-06-18 v3
摘要
我们报道了使用微波电子回旋共振 - 等离子体增强化学气相沉积法，在 SiO2/Si 和石英衬底上无催化剂直接合成垂直石墨烯纳米片 (VGNs)。我们在不同生长阶段系统地研究了 VGNs 的演化。作为生长时间函数的拉曼分析表明，有两种不同的无序诱导竞争机制贡献于缺陷带强度。在 SiO2/Si 衬底上生长的 VGNs 主要由类空位缺陷和跳跃缺陷组成。另一方面，在石英衬底上生长的 VGNs 主要包含类边界缺陷。XPS 研究也证实了关于 SiO2/Si 衬底上生长的 VGNs 的缺陷密度和类空位缺陷的拉曼分析结果。此外，生长的 VGNs 在 550 nm 处表现出从 95% 到 78% 的高光学透过率，片电阻随生长时间变化，范围从 30 到 2.17 kohms/square。
引用
@article{arxiv.1402.2074,
title = {Evolution and defect analysis of vertical graphene nanosheets},
author = {Subrata Ghosh and K. Ganesan and Shyamal R. Polaki and T. R. Ravindran and Nanda Gopala Krishna and M. Kamruddin and A. K. Tyagi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.2074},
year = {2015}
}
备注
19 pages, 8 figures, 1 table; Accepted in Journal of Raman Spectroscopy (2014)