研究级 III-V 族纳米线生长反应器的开发与运行
介观与纳米尺度物理
2010-10-05 v2 材料科学
摘要
III-V 族纳米线是研究纳米尺度材料电子和力学性能的有用平台。然而，商用纳米线生长反应器的成本对大多数研究团队而言过于高昂。我们开发了用于生长 InAs 纳米线的热壁和冷壁金属有机气相外延 (MOVPE) 反应器，两者共用同一气体处理系统。热壁反应器基于廉价石英管炉，可在较窄的操作条件范围内生长出 InAs 纳米线。使用自制的超高真空 (UHV) 冷壁反应器（本底压力为 2×10 Torr）可改善晶体质量并提高批次间生长重现性。UHV 反应器上的进样锁可防止样品传输过程中生长腔暴露于大气环境。透射电子显微镜分析表明，在冷壁系统中生长的纳米线缺陷密度低，并表现出场效应栅控特性，迁移率接近 16,000 cm(V·s)。
引用
@article{arxiv.0911.0845,
title = {Development and operation of research-scale III-V nanowire growth reactors},
author = {M. D. Schroer and S. Y. Xu and A. Bergman and J. R. Petta},
journal= {arXiv preprint arXiv:0911.0845},
year = {2010}
}
备注
Related papers at http://pettagroup.princeton.edu