GaN 的 HVPE 生长两种模式及相关宏观缺陷
材料科学
2019-02-22 v2 应用物理
摘要
采用卤化物气相外延方法生长了厚度达 3 mm 的 GaN 薄膜。观察到两种生长模式：高温（HT）模式与低温（LT）模式。HT 模式下生长的薄膜表面光滑，但生长应力高并导致开裂。LT 模式下生长的薄膜表面粗糙且 V 型缺陷（凹坑）密度高，但此类薄膜无裂纹。研究了生长参数对凹坑形状与演化的影响。讨论了凹坑形成的起源与凹坑过度生长的过程。通过结合 LT 与 HT 生长模式，生长出了表面光滑且凹坑密度降低的无裂纹薄膜。
引用
@article{arxiv.1902.07164,
title = {Two modes of HVPE growth of GaN and related macrodefects},
author = {V. V. Voronenkov and N. I. Bochkareva and R. I. Gorbunov and P. E. Latyshev and Y. S. Lelikov and Y. T. Rebane and A. I. Tsyuk and A. S. Zubrilov and U. W. Popp and M. Strafela and H. P. Strunk and Y. G. Shreter},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.07164},
year = {2019}
}