稀氮化物和稀铋化物半导体激光器中的能带工程
材料科学
2018-11-08 v1 介观与纳米尺度物理
计算物理
量子物理
摘要
高失配半导体合金如 GaNAs 和 GaBiAs 具有几种新颖的电子特性，包括随 x 增加而迅速减小的能隙，以及对于 GaBiAs，随 Bi 组分增加而显著增大的自旋轨道分裂能。我们在此回顾了此类合金的电子结构及其对理想激光器的影响。随后，我们描述了在实际 GaInNAs 电信激光器演示方面取得的重大进展。这些激光器具有与基于 InP 的传统器件相当的特性，其中包括对阈值电流有强烈的俄歇贡献。然而，我们表明，GaBiAs 和 GaBiNAs 中巨大的自旋轨道分裂能可能导致抑制主导的俄歇复合损耗机制，最终为高效、温度稳定的电信及更长波长激光器开辟道路，并显著降低功耗。
引用
@article{arxiv.1208.6441,
title = {Band engineering in dilute nitride and bismide semiconductor lasers},
author = {Christopher A. Broderick and Muhammad Usman and Stephen J. Sweeney and Eoin P. O'Reilly},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.6441},
year = {2018}
}
备注
27 pages, 11 figures