III-V 族半导体合金中电子态的局域化: 比较研究
材料科学
2017-06-15 v3
摘要
利用第一性原理研究了 III-V 族半导体合金的电子性质, 重点关注电子态的空间局域化。我们比较了 GaAs 基质中各种等价杂质在带边引起的局域化, 包括其对光致发光线宽和载流子迁移率的影响。带边局域化的极端程度与各元素改变带隙的能力及相对带阶相关联。此外, 计算了替位缺陷的形成能, 并将其与合金生长和可成形性相关的挑战联系起来。使用光谱分辨的反参与率来绘制用于 1.55 m 波长通信激光器的、与 B、N、In、Sb 和 Bi 合金化的前瞻性 GaAs 基材料中的局域化。该分析辅以电子结构的能带展开, 并讨论了局域化对光学增益和 Auger 损耗的影响。与光致发光光谱展宽和电荷载流子迁移率实验数据的对应表明, 局域化特征可作为半导体合金工程的指导原则。
引用
@article{arxiv.1612.08218,
title = {Localization of electronic states in III-V semiconductor alloys: a comparative study},
author = {C. Pashartis and O. Rubel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.08218},
year = {2017}
}
备注
9 pages, 7 figures, 3 tables