吸收性半导体腔中相位锁定二次与三次谐波产生的场局域与增强
光学
2015-05-13 v1
摘要
我们预测并通过实验观察到，在GaAs腔中，相位失配的二次和三次谐波产生（分别位于650 nm和433 nm，远高于吸收边）增强了三个数量级。泵浦光与谐波之间的相位锁定改变了介质的有效色散并抑制了吸收。尽管条件不利，谐波仍局域在腔内，从而实现了相对较高的转换效率。场局域化起着关键作用，并开创了可见光和紫外波段中一类新型半导体基器件。
引用
@article{arxiv.0906.5115,
title = {Field Localization and Enhancement of Phase Locked Second and Third Harmonic Generation in Absorbing Semiconductor Cavities},
author = {V. Roppo and C. Cojocaru and F. Raineri and G. D'Aguanno and J. Trull and Y. Halioua and R. Raj and I. Sagnes and R. Vilaseca and M. Scalora},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.5115},
year = {2015}
}