通过静态与瞬态三次谐波光谱探测单层半导体中的电子态
光学
2022-07-15 v1 应用物理
摘要
电子态及其动力学对电子与光电子应用至关重要。在此，我们利用宽带（约 1.79 至 3.10 eV）静态三次谐波光谱探测单层 MoS2 中多种相关电子态（如多个激子里德伯态与自由粒子能带），其相对对比度高达 >200，并进一步得到理论计算的支持。此外，我们引入瞬态三次谐波光谱，证明三次谐波生成可在约 2.18 eV 处以超过约 94% 的调制深度被全光调制，从而提供了与载流子-激子及载流子-声子相互作用相关的主要载流子弛豫过程的直接证据。我们的结果表明，静态与瞬态三次谐波光谱不仅是表征单层半导体及其异质结构的有前景技术，也是包括全光调制与成像在内的颠覆性光子与光电子应用的潜在平台。
引用
@article{arxiv.2207.06517,
title = {Probing Electronic States in Monolayer Semiconductors through Static and Transient Third-Harmonic Spectroscopy},
author = {Yadong Wang and Fadil Iyikanat and Habib Rostami and Xueyin Bai and Xuerong Hu and Susobhan Das and Yunyun Dai and Luojun Du and Yi Zhang and Shisheng Li and Harri Lipsanen and F. Javier García de Abajo and Zhipei Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.06517},
year = {2022}
}
备注
17 pages, 4 figures