半导体莫尔晶格中的霍夫施塔特态与重入电荷序
介观与纳米尺度物理
2024-06-11 v1
摘要
具有平带的莫尔材料的出现为系统研究和精确控制关联电子相提供了平台。在此，我们报道了扭转 WSe/MoSe 异双层膜的局域电子压缩率测量，其揭示了相互交叠的霍夫施塔特态与电子固体的丰富相图。我们表明这反映了平带与色散莫尔带并存，其相对能量因而占据数受密度和磁场调控。在低密度下，莫尔带之间的竞争导致在双占据位点上从单重态的有公度排列向高场下三重态构型的转变。霍夫施塔特态（即陈绝缘体）通常在高密度下因色散带被占据而受青睐，但被一个介入的重入电荷有序态区域所抑制，其中源自多个带的空穴协同结晶。我们的结果揭示了在半导体莫尔系统中 favoring 不同关联基态的关键微观要素，并展示了一个涌现的晶格模型系统，其中相互作用与带色散均可被实验控制。
引用
@article{arxiv.2212.05068,
title = {Hofstadter states and reentrant charge order in a semiconductor moir\'e lattice},
author = {Carlos R. Kometter and Jiachen Yu and Trithep Devakul and Aidan P. Reddy and Yang Zhang and Benjamin A. Foutty and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Liang Fu and Benjamin E. Feldman},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.05068},
year = {2024}
}