III-V 族半导体中的反相边界：原子构型、能带结构与费米能级
材料科学
2022-11-09 v1
摘要
基于第一性原理计算，我们全面研究了具有不同取向和化学计量比（包括 {110}、{100}、{111}、{112} 和 {113} 取向）的 III-V 族半导体中不同反相边界的原子结构与电子性质。特别地，我们展示了梯状或锯齿状化学键构型如何在不同情形下导致带隙半导体能带结构、带隙金属性能带结构或无带隙金属性能带结构。此外，我们证明梯状反相边界（APB）构型比锯齿状 APB 构型对费米能级的影响更为显著。最后，我们讨论了这些不同的能带结构可能对用于光子学或能量收集的单片 III-V/Si 器件的运行产生的影响。
引用
@article{arxiv.2206.01571,
title = {Antiphase boundaries in III-V semiconductors: Atomic configurations, band structures and Fermi levels},
author = {L. Chen and L. Pedesseau and Y. Léger and N. Bertru and J. Even and C. Cornet},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.01571},
year = {2022}
}
备注
13 pages, 11 figures and 1 table