MgB2及相关化合物的能带结构

Hisatomo Harima

doi:10.1016/S0921-4534(02)01375-8

MgB2及相关化合物的能带结构

超导电性 2009-11-07 v1

作者: Hisatomo Harima

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摘要

我们使用LDA和FLAPW方法计算了新型超导体MgB $_2$ 及其相关化合物的能带结构。发现低能 $\pi$ 带中强三维网络导致MgB $_2$ 中两个二维 $\sigma$ 洞的形成，这应是超导性的原因。获得了de Haas-van Alphen频率和循环有效质量。由于三维网络较弱，LiBC中未发现 $\sigma$ 洞。MgB $_2$ C $_2$ 为半导体，但价带顶部类似MgB $_2$ 中的 $\sigma$ 带。还对Mg $_{1-x}$ Al $_x$ B $_2$ 进行总能计算，以研究在x≈10%处实验观察到的结构相不稳定性。

关键词

能带结构 MgB$_2$ 费米面 de Haas-van Alphen 超导性

引用

@article{arxiv.cond-mat/0201452,
  title  = {Energy bandstructures of MgB2 and the related compounds},
  author = {Hisatomo Harima},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0201452},
  year   = {2009}
}

备注

9 pages, 9 figures, Accepted for publication in Physica C (the ISS2001 Proceedings)

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