不同晶格常数下 MgB$_{2}$ 的能带结构
材料科学
2009-11-07 v3 超导电性
摘要
我们利用全势线性化缀加平面波（FPLAPW）方法，对不同晶格常数下 MgB 的电子结构进行了详细研究。研究发现，晶格参数对硼的 能带有很大影响。我们的结果表明，沿 {\it c} 轴增加晶格常数会提高费米能级处的态密度（DOS），使 能带向上移动，并增加 能带中的空穴数。因此，超导转变温度 T 也将相应提高。改变沿 {\it a} 轴的晶格常数会产生与沿 {\it c} 轴相反的效果。我们的结果与实验相符。结果指出了一种寻找更高 T 超导体的可能途径，即通过掺杂使 MgB 具有更长的 {\it c} 轴和更短的 {\it a, b} 轴。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0104216,
title = {The band structure of MgB$_{2}$ with different lattice constants},
author = {Xiangang Wan and Jinming Dong and Hongming Weng and D. Y. Xing},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0104216},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 3 figures