局限于局域化阈值附近的零场超导电阻过渡宽度
超导电性
2009-11-07 v2
摘要
分析了氖化铟-氧薄膜中零场超导电阻过渡，讨论了两种特征温度：上温度T_{c0}，其中有序相的振幅被建立；下温度T_c，其中相序化完成。从磁阻测量结果可见，介于T_c与T_{c0}之间的电阻不能归因于热力学解离涡旋对的耗散。因此，在T_c处发生的并非Kosterlitz-Thouless-Berezinskii相变。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0101446,
title = {Superconductivity of metallic boron in MgB_2},
author = {J. Kortus and I. I. Mazin and K. D. Belashchenko and V. P. Antropov and L. L. Boyer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0101446},
year = {2009}
}
备注
several typos corrected, most importantly, units in the tables fixed and a missing zero in the expression for the resistivity restored