生长在 Al(111) 表面的蜂窝状硼烯中的电声耦合
超导电性
2019-07-12 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
近来，有报道称蜂窝状硼烯在 Al(111) 表面成功生长。由于蜂窝状硼 sheets 的金属性 成键带在 MgB 的 39 K 超导性中起关键作用，考察该材料是否存在类似性质在物理上颇具趣味。我们利用第一性原理密度泛函理论结合 Wannier 插值技术，明确考虑衬底效应，计算了蜂窝状硼烯的电子结构与电声耦合。我们发现，由于来自 Al 衬底的适度电荷转移，蜂窝状硼烯的 杂化 成键带发生金属化，类似于 MgB。然而，由于硼的键拉伸声子模硬化以及声态密度降低，蜂窝状硼烯中的电声耦合远弱于 MgB。尽管如此，硼烯中 Al 相关声子与电子的层间耦合很强。基于此观察，我们预测在由单层 Al 修饰的自由站立硼烯（即单层 AlB）中可观察到 6.5 K 超导转变。相应地，在 Al(111) 上的蜂窝状硼烯中可预期类似的超导转变温度。
引用
@article{arxiv.1902.06276,
title = {Electron-phonon coupling in a honeycomb borophene grown on Al(111) surface},
author = {Miao Gao and Xun-Wang Yan and Jun Wang and Zhong-Yi Lu and Tao Xiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.06276},
year = {2019}
}
备注
accepted for publication in Phys. Rev. B