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单晶MgB₂的de Haas-van Alphen效应

超导电性 2009-11-07 v4

摘要

我们报告了在单晶MgB₂高温超导体中观察到的量子振荡。清晰分辨出三个de Haas-van Alphen频率。与能带结构计算结果的比较strongly suggests两个频率来自沿c方向扭曲的单个费米面管,而第三个频率则来自于二维蜂窝网络中圆柱形截面的内平面。测得的有效质量范围为0.44-0.68m_e。将其与最近由三组进行的计算得到的带质量进行比较,我们发现当c轴管轨道与内平面网络轨道相比时,电子-声子耦合强度λ大约大约是3倍,这与最近的微观计算结果一致。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0112392,
  title  = {de Haas-van Alphen effect in single crystal MgB_2},
  author = {E. A. Yelland and J. R. Cooper and A. Carrington and N. E. Hussey and P. J. Meeson and S. Lee and A. Yamamoto and S. Tajima},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0112392},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages (revtex 4) including figures. Accepted for Publication in Phys. Rev. Lett