Bi/InAs(100) 表面准一维结构的强共振
强关联电子
2018-06-26 v2 材料科学
摘要
薄 Bi 膜因巨大的自旋轨道分裂，加之表面反演对称性的丧失导致能带结构非自旋简并，而成为自旋电子学应用的有趣候选。近年来，基于 Bi 与 Bi 合金的拓扑绝缘体应用也备受关注。本文给出 Bi/InAs(100) 界面的 ARPES 研究。铋沉积并退火表面后形成一层完整 Bi 单层，其上修饰有 Bi 纳米线。我们发现界面的构建确实影响了衬底电子结构。由于弱相互作用，铋态位于 InAs(100) 电子结构的能隙中。我们观察到费米能级附近 Bi 电子态的强共振；其强度依赖于光子能量与光子偏振。这些态在垂直于纳米线测量时几乎无色散，证实了其一维特性。
引用
@article{arxiv.1806.01031,
title = {Strong Resonances of Quasi 1D Structures at the Bi/InAs(100) Surface},
author = {Olivier Heckmann and Maria Christine Richter and Jean-Michel Mariot and Laurent Nicolaï and Ivana Vobornik and Weimin Wang and Uros Djukic and Karol Hricovini},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.01031},
year = {2018}
}
备注
6 pages, 4 figures