超薄$\alpha$-Sn (111)膜中拓扑表面态的调控
强关联电子
2020-01-01 v2 材料科学
摘要
我们报道了在InSb(111)A上生长的极薄厚度 regime 下-Sn膜的电子结构。高分辨率低光子能量角分辨光电子能谱(ARPES)允许直接观测存在于第二价带与导带之间、呈线性色散的二维拓扑表面态(TSSs)。在10纳米厚-Sn膜中，该TSS的狄拉克点被发现位于费米能级以下200meV处，这使得观测更薄膜中TSS狄拉克点处杂化能隙的打开成为可能。向准二维电子结构的转变伴随着布里渊区中心处完全能隙的打开，与我们的密度泛函理论计算一致。我们进一步确定了-Sn膜中TSS杂化能隙与拓扑非平庸电子结构共存、且可预期存在一维螺旋边缘态的厚度区间。
引用
@article{arxiv.1910.11170,
title = {Tailoring the topological surface state in ultrathin $\alpha$-Sn (111) films},
author = {Victor A. Rogalev and Felix Reis and Florian Adler and Maximilian Bauernfeind and Jonas Erhardt and André Kowalewski and Markus R. Scholz and Lenart Dudy and Liam B. Duffy and Thorsten Hesjedal and Moritz Hoesch and Gustav Bihlmayer and Jörg Schäfer and Ralph Claessen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.11170},
year = {2020}
}
备注
7 pages, 5 figures, 1 table