元素型拓扑狄拉克半金属：InSb(111)上的{\alpha}-Sn
材料科学
2017-04-06 v1
摘要
三维(3D)拓扑狄拉克半金属(TDSs)虽然罕见，但作为探索奇异电子特性和拓扑相变的多功能平台具有重要意义。TDSs的一个典型特征是存在与费米能级附近体态电子相关联的3D狄拉克费米子。利用角分辨光电子能谱(ARPES)，我们在InSb(111)上外延生长的{\alpha}-Sn薄膜中观测到了这种体态狄拉克锥，这是首个以元素形式实现的此类TDS系统。第一性原理计算证实，外延应变是形成TDS相的关键。我们建立了一个相图，将3D TDS相通过零能隙半金属相的一个奇点连接到拓扑绝缘体(TI)相。随着薄膜厚度减小，狄拉克锥的性质从3D转变为2D。
引用
@article{arxiv.1703.07488,
title = {Elemental topological Dirac semimetal: {\alpha}-Sn on InSb(111)},
author = {Cai-Zhi Xu and Yang-Hao Chan and Yige Chen and Peng Chen and Xiaoxiong Wang and Catherine Dejoie and Man-Hong Wong and Joseph Andrew Hlevyack and Hyejin Ryu and Hae-Young Kee and Nobumichi Tamura and Mei-Yin Chou and Zahid Hussain and Sung-Kwan Mo and Tai-Chang Chiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.07488},
year = {2017}
}