Bi 表面在 Bi2Se3 上的气相暴露下的能带结构
介观与纳米尺度物理
2024-05-09 v1
摘要
BiSe 因其拓扑性质而受到过去十年的强烈关注。已知在暴露于大气后会在 BiSe 上形成 Bi 表面，但其电子结构尚未被研究。我们使用角分辨光子能谱 (angle-resolved photoemission spectroscopy) 对此类 Bi 表面的能带结构进行测量。测量的光谱可由单层 Bi 覆于 BiSe 上的能带结构解释，并显示 Bi 表面在暴露至少 1 小时后始终占据光子发射信号的主导地位。这些结果表明，在识别二维输运通道以及设计对 BiSe 表面敏感的测量时，应考虑大气效应，最好将大气暴露时间限制在几分钟内。
引用
@article{arxiv.2404.17203,
title = {Band structure of Bi surfaces formed on Bi2Se3 upon exposure to air},
author = {Alexandre Gauthier and Jonathan A. Sobota and Nicolas Gauthier and Costel R. Rotundu and Zhi-Xun Shen and Patrick S. Kirchmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.17203},
year = {2024}
}