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$\text{Bi}_{1-x}\text{Sb}_{x}$(111) 的表面能带结构

介观与纳米尺度物理 2015-04-15 v2

摘要

理论和实验研究一致认为 Bi1xSbx\text{Bi}_{1-x}\text{Sb}_{x} (0.07x0.210.07 \leq x \leq 0.21) 是一种三维拓扑绝缘体。然而,关于相应的 Bi1xSbx\text{Bi}_{1-x}\text{Sb}_{x}(111) 表面能带结构仍存在争议。虽然实验上声称存在三个自旋极化能带,但在理论上仅出现两个表面能带,第三个能带被归因于表面缺陷。在此,我们利用角分辨光电子能谱 (ARPES) 对 Bi1xSbx\text{Bi}_{1-x}\text{Sb}_{x} 薄膜进行研究,以解决这一争议。为了最大限度地减少表面缺陷,我们优化了样品生长方案。我们测量了 xxx=0x = 0 逐渐增加到 x=0.6x = 0.6Bi1xSbx\text{Bi}_{1-x}\text{Sb}_{x} 表面能带结构的演变。我们的 ARPES 数据显示与理论计算更好的一致性,其中该系统在拓扑上是非平凡的,具有两个表面能带。

关键词

引用

@article{arxiv.1412.4596,
  title  = {Surface band structure of $\text{Bi}_{1-x}\text{Sb}_{x}$(111)},
  author = {Hadj M. Benia and Carola Straßer and Klaus Kern and Christian R. Ast},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1412.4596},
  year   = {2015}
}