Yb硫属化物YbO和YbS中压力驱动的拓扑相变
材料科学
2015-06-24 v1 强关联电子
摘要
基于密度泛函理论(DFT)结合修正Becke-Johnson局域密度近似加Hubbard U (MBJLDA+U)的第一性原理计算，我们研究了常压和高压下Yb硫属化物YbO和YbS的能带结构。结果表明常压下YbO和YbS均具有平庸能带拓扑，高压下具有非平庸能带拓扑。拓扑相变由时间反演不变动量(TRIM)点X处5d与4f轨道之间的压力驱动单带反转引起。通过具有slab几何的紧束缚模型计算确定的[001]表面上与一对金属表面态共存的体Dirac锥也证明了高压下YbO和YbS的非平庸能带拓扑。
引用
@article{arxiv.1504.00962,
title = {Pressure-Driven Topological Phase Transition in the Yb Chalcogenides YbO and YbS},
author = {Zhi Li and Jiu-Xing Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.00962},
year = {2015}
}
备注
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