应变单双层 Bi(111) 中电场诱导的 Z2 拓扑相变
介观与纳米尺度物理
2019-06-20 v1 材料科学
摘要
为控制单双层 Bi(111) 中拓扑相变的临界电场，我们通过第一性原理计算研究了应变系统中的拓扑相。我们在拉伸应变 % 处发现了二次带接触半金属态。在该应变附近，拓扑相可通过无穷小电场切换为平庸绝缘体。在电场诱导的拓扑相变中狄拉克锥出现的位置对于应变 % 和 % 发生了变化。我们的结果表明，该拓扑相变可应用于新型自旋电子器件。
引用
@article{arxiv.1905.05944,
title = {Electric-field-induced Z2 topological phase transition in strained single bilayer Bi(111)},
author = {Hikaru Sawahata and Naoya Yamaguchi and Fumiyuki Ishii},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.05944},
year = {2019}
}