具有 intentional donor implants 的 Si-MOS 量子点的长期漂移
介观与纳米尺度物理
2018-01-25 v1
摘要
电荷噪声会对基于量子点(QD)的半导体量子比特的运行产生不利影响。我们通过电荷偏移漂移测量来研究在 QD 附近有意植入施主杂质的 Si-MOS 器件的低频电荷噪声。我们表明,MOS 系统表现出以瞬态和离散跳变形式存在的非平衡漂移特性,这些特性不依赖于施主植入的性质。平衡电荷噪声显示出 噪声依赖性,其噪声强度低至 ,可与更典型的 GaAs 和 Si/SiGe 体系(同样未植入)中报道的相当。因此我们证明,植入的量子比特可以在不对长期漂移或 噪声产生有害影响的情况下制备。
引用
@article{arxiv.1801.07776,
title = {Long-term drift of Si-MOS quantum dots with intentional donor implants},
author = {Martin Rudolph and Bahman Sarabi and Roy Murray and Malcolm S. Carrol and Neil M. Zimmerman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.07776},
year = {2018}
}