锗中中性杂质浓度对电荷漂移迁移率的影响

我们报告了空穴中性杂质散射的新结果，该散射在77开尔文高纯p型锗晶体中对电荷漂移迁移率有影响。载流子浓度、迁移率和电阻率由77开尔文的霍尔效应系统测量。我们利用最佳理论模型与实验数据研究了电离杂质散射、晶格散射和中性杂质散射对总电荷漂移迁移率的贡献。使用来自生长晶体的若干具有测量霍尔迁移率的样品进行此研究。利用测量的霍尔迁移率和电离杂质浓度以及理论模型，我们通过马西森定则计算中性杂质浓度。结果获得了中性杂质浓度相对于晶体半径的分布。因此，我们证明中性杂质散射对电荷漂移迁移率有显著贡献，其依赖于给定锗晶体中中性杂质浓度。