中性杂质浓度对n型锗中电荷漂移迁移率的影响
仪器与探测器
2017-08-02 v1 核实验
摘要
研究了在77开尔文下电子的中性杂质散射对高纯n型锗晶体中电荷漂移迁移率的影响。我们使用理论模型计算了电离杂质散射、晶格散射和中性杂质散射对总电荷漂移迁移率的贡献。实验数据如电荷载流子浓度、迁移率和电阻率由霍尔效应系统在77开尔文下测量。中性杂质浓度由马西森规则利用测量的霍尔迁移率和电离杂质浓度推导得出。确定了自生长晶体中中性杂质浓度的径向分布。因此，我们证明了中性杂质散射对电荷漂移迁移率有显著贡献，其依赖于高纯n型锗晶体中中性杂质的浓度。
引用
@article{arxiv.1705.09562,
title = {The impact of neutral impurity concentration on charge drift mobility in n-type germanium},
author = {H. Mei and G. -J. Wang and G. Yang and D. -M. Mei},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.09562},
year = {2017}
}
备注
14 pages, 12 figures. arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:1607.03032