LaBr$_3$:Ce 闪烁体的载流子迁移率与非比例性

I. V. Khodyuk; F. G. A. Quarati; M. S. Alekhin; P. Dorenbos

LaBr$_3$:Ce 闪烁体的载流子迁移率与非比例性

材料科学 2012-09-25 v1 核实验仪器与探测器

作者: I. V. Khodyuk , F. G. A. Quarati , M. S. Alekhin , P. Dorenbos

摘要

研究了掺杂不同浓度铈的 LaBr $_3$ :Ce $^3+$ 闪烁晶体在 80K 至 450K 之间的非比例响应及相关能量分辨率。对于 5% 和 30% 的 Ce $^3+$ 浓度，LaBr $_3$ 在 80K 时表现出最佳的比例性和能量分辨率。而对于 LaBr $_3$ :0.2%Ce $^3+$ ，最佳能量分辨率和最低程度的非比例响应则出现在室温附近。实验结果根据载流子迁移率进行分析，并使用了宽禁带半导体中的载流子输运理论。我们发现，晶格和杂质对载流子的散射是决定载流子迁移率特定温度依赖性并最终决定闪烁非比例性的关键过程。假设电离杂质浓度约为 100ppm，计算得出的 LaBr $_3$ :0.2%Ce $^3+$ 载流子迁移率最大值与其非比例性程度的实验观测最小值吻合良好。

关键词

闪烁体 LaBr$_3$:Ce 非比例性能量分辨率载流子迁移率宽禁带半导体载流子散射

引用

@article{arxiv.1209.5278,
  title  = {Charge carrier mobility and nonproportionality of LaBr$_3$:Ce scintillators},
  author = {I. V. Khodyuk and F. G. A. Quarati and M. S. Alekhin and P. Dorenbos},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1209.5278},
  year   = {2012}
}

备注

14 pages, 10 figures, 2 tables

LaBr$_3$:Ce 闪烁体的载流子迁移率与非比例性

摘要

关键词

引用

备注

相关论文