极性溶剂中的一维半导体:过剩电荷载流子的溶剂化与低频动力学
化学物理
2009-11-13 v2
摘要
由于溶剂化作用,浸没在极性溶剂中的一维半导体纳米结构上的过剩电荷载流子会发生自局域化,形成极化子态。利用针对小直径结构的简化理论模型,我们研究了由此产生的一维绝热极化子的低频性质。电子电荷密度与溶剂的联合微观动力学导致了极化子的宏观 Langevin 动力学以及局部介电弛豫模式的出现。我们评估了极化子迁移率作为系统参数的函数。数值估算表明,溶剂化载流子的迁移率可能比本征值低几个数量级。
引用
@article{arxiv.0804.1767,
title = {One-dimensional semiconductor in a polar solvent: Solvation and low-frequency dynamics of an excess charge carrier},
author = {Yu. N. Gartstein and G. L. Ussery},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.1767},
year = {2009}
}
备注
Typo in Eq.(12) has been corrected