含嵌入微晶的非晶半导体的极化子输运

在有效介质近似下，处理了退火诱导产生、嵌入于非晶对应物中的半导体微晶在近室温下的电子输运。由此，混合物的输运系数成为其两个组分输运系数的光滑函数。假设微晶中的载流子迁移率远大于非晶相中的迁移率。然而，当微晶中载流子能量低于非晶相中能量时，微晶充当宏观陷阱。于是，在足够低的载流子浓度下，混合物的直流电导率低于非晶相的电导率。但是，随着载流子浓度增加，移动的化学势减弱了这种俘获效应，使微晶较大的迁移率得以将混合物的电导率驱动至高于非晶相的电导率。同时，Seebeck 系数对退火诱导的嵌入微晶的引入与生长保持不敏感。这些特征与已报道的具有退火诱导嵌入微晶的非晶有机聚合物的特征定性相似。