高阻全耗尽 CCD 中小电荷包输运研究
仪器与探测器
2019-06-28 v1 高能物理 - 实验
核实验
摘要
本文提出一个物理模型并给出厚高阻 CCD 体区内小电荷包在像素势阱收集前输运的测量结果。我们提出了一种测量电荷横向扩散随体区电离深度变化的新技术。展示了目前用于多种科学仪器的 CCD 的测量结果，并通过一种新的数学算法进行验证，该算法扩展了当前仅基于硅中电荷扩散的建模。
引用
@article{arxiv.1906.11379,
title = {Studies on small charge packet transport in high-resistivity fully-depleted CCDs},
author = {Miguel Sofo Haro and Guillermo Fernandez Moroni and Javier Tiffenberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.11379},
year = {2019}
}