电流瞬态测量中电子学传递函数的测定

我们描述了一种直接的方法，用于在传感器的电流瞬态可以被精确模拟的情况下，确定传感器读出的传递函数。该方法依赖于傅里叶变换的卷积定理。具体示例为一个平面硅垫二极管，通过 50 $\Omega$ 电缆连接至放大器，随后连接至 5 GS/s 采样示波器。传感器中的载流子由波长为 675 和 1060 nm 的皮秒激光产生。传递函数是利用偏置电压为 1000 V 的垫二极管在 1060 nm 数据下确定的。结果表明，将模拟的传感器响应与此传递函数进行卷积，能够极好地描述两种波长激光在电压从高于约 90 V 耗尽电压 50 V 直至最大施加电压 1000 V 范围内的测量瞬态。该方法开发用于精确测量高阻硅中电子和空穴漂移速度对晶体取向、电场和温度的依赖性。只要传感器属性（如高频电容）差异不大，该方法也可应用于辐射损伤固态传感器的瞬态电流测量分析。