极强辐照下硅的低场载流子迁移率

本文量化了 <100> 硅中的低场载流子迁移率与高达 $10^{18}\,\text{cm}^{-2}$ 的 1$\,\text{MeV}$ 等效中子注量以及 230$\,\text{K}$ 至 260$\,\text{K}$ 之间温度的函数关系。电流测量结果使用电离杂质散射迁移率模型进行了拟合。将技术辅助设计（TCAD）仿真与测量结果进行了比较，并用于估计载流子浓度，该浓度是拟合中的参数。该拟合模型在注量和温度的函数关系上均能很好地描述数据。在 $6 \cdot 10^{17}\,\text{cm}^{-2}$ 的注量下（预计为拟议的未来环形强子对撞机（FCC-hh）最内层探测器层的注量），发现电子和空穴的迁移率总和下降了约 60%。