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三维狄拉克半金属 Cd$_3$As$_2$ 中狄拉克费米子的声子限制迁移率

材料科学 2019-08-01 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

考虑到来自声学声子与光学声子的散射,我们提出了三维 (3D) 狄拉克半金属 Cd3_3As2_2 中狄拉克费米子气体的声子限制迁移率理论模型。考虑了屏蔽效应,发现其导致迁移率的显著增强。在 Bloch-Gruneisen 与均分 regimes 下均获得了简单的解析方程与幂律。研究了迁移率对温度 TT 与电子密度 nen_e 的依赖关系。发现光学声子限制迁移率 μop\mu_{op} 在较高温度区域主导于声学声子限制迁移率 μap\mu_{ap}。存在 μap\mu_{ap}μop\mu_{op} 的交叉,且交叉温度 TcT_cnen_e 增大向更高值移动。我们的迁移率计算与近期实验数据吻合良好。并与简并半导体中传统 3D 电子气体的结果进行了比较。

关键词

引用

@article{arxiv.1907.13165,
  title  = {Phonon limited mobility of the Dirac-Fermions in a three-dimensional Dirac semimetal Cd$_3$As$_2$},
  author = {S S Kubakaddi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1907.13165},
  year   = {2019}
}