AlAs 中二维电子体在 B=0 条件下的类金属行为
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们报告在 AlAs 量子阱中观察到的二维电子在零磁场下表现出类似金属的行为。在高载流子密度下，样品电阻随温度降低而减小；但当载流子密度降低时，行为转为绝缘体，电阻随温度降低而增大。该现象类似于 Si-MOSFET 中的二维电子、SiGe 和 GaAs 中二维空穴所观察到的行为，指向该现象的普适性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9903443,
title = {Apparent Metallic Behavior at B = 0 of a two-dimensional electron system in AlAs},
author = {S. J. Papadakis and M. Shayegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9903443},
year = {2009}
}