面向硅/硅锗异构结构中谷 valley 分裂的高分辨率扫描门显微镜探测
介观与纳米尺度物理
2024-10-04 v1 量子物理
摘要
深入了解影响硅/硅锗异构结构中两个低能谷态之间分裂的材料特性将在 qubit 数量增加后日益重要。扫描门显微镜被提出作为测量硅量子阱平面上谷分裂空间变异的方法。我们构建了一个结合扫描门显微镜针尖电荷模型与重叠栅结构的模拟器，并求解该器件堆叠结构的三维 Schrödinger-Poisson 方程的近似解。通过该模拟器，我们展示，靠近源漏极形成的针尖诱导量子点可绝热地移动到栅极远离的区域。我们认为，通过将针尖诱导的量子点在硅/硅锗界面缺陷处进行空间平移，可检测谷分裂的变化。
引用
@article{arxiv.2405.03596,
title = {Towards Utilizing Scanning Gate Microscopy as a High-Resolution Probe of Valley Splitting in Si/SiGe Heterostructures},
author = {Efe Cakar and H. Ekmel Ercan and Gordian Fuchs and Artem O. Denisov and Christopher R. Anderson and Mark F. Gyure and Jason R. Petta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.03596},
year = {2024}
}