增强模式双顶栅金属氧化物半导体量子点中的电荷感应
介观与纳米尺度物理
2009-11-18 v1
摘要
量子点的横向耦合电荷感应非常理想，因为它即使在量子点本身的电导被抑制时也能进行测量。在这项工作中，我们在双顶栅MOS系统中演示了这种电荷感应。集成在量子点附近的点接触收缩中的电流显示出约2%的尖锐变化，对应于量子点与附近引线之间的电荷跃迁。我们提取了电荷传感器与量子点之间的耦合电容，并表明它与集成传感器和量子点系统的三维电容模型吻合良好。
引用
@article{arxiv.0909.3547,
title = {Charge sensing in enhancement mode double-top-gated metal-oxide-semiconductor quantum dots},
author = {E. P. Nordberg and H. L. Stalford and R. Young and G. A. Ten Eyck and K. Eng and L. A. Tracy and K. D. Childs and J. R. Wendt and R. K. Grubbs and J. Stevens and M. P. Lilly and M. A. Eriksson and M. S. Carroll},
journal= {arXiv preprint arXiv:0909.3547},
year = {2009}
}
备注
4 Pages, 3 Figures