n 型硅中库仑玻璃的电动力学
无序系统与神经网络
2009-11-07 v1 强关联电子
摘要
本文报道了未补偿 n 型硅的频率依赖复电导率的实部和虚部的光学测量结果。实验在量子极限 下进行，涵盖了金属-绝缘体转变 (MIT) 绝缘侧的宽掺杂范围。观测到的低能线性频率依赖性表现出与库仑玻璃理论一致的特征，但实部和虚部的相对量级存在差异。在更高能量处，我们观察到向二次频率依赖性的交叉，该交叉在整个掺杂剂范围内比预期的更为陡峭。浓度依赖性提供了证据，表明库仑相互作用能是决定该交叉的相关能量尺度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210472,
title = {Electrodynamics of a Coulomb Glass in n-type Silicon},
author = {E. Helgren and N. P. Armitage and G. Gruner},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210472},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures; accepted for publication in Phys. Rev. Lett