一维导体中的退相干与Thouless交叉
无序系统与神经网络
2009-10-31 v2
摘要
我们研究了一维（1D）导体在Thouless交叉附近的电阻随温度和磁场的变化。我们发现，在交叉的弱局域化（WL）一侧，这些依赖性与电阻的量子修正理论一致，相位破缺是由于准弹性电子-电子相互作用（奈奎斯特噪声）。相位相干时间对温度的依赖性不会饱和，准粒子态在整个WL温度范围内保持良好定义。这一事实以及在一维样品中观察到Thouless交叉，反对了电子零点涨落引起内在退相干的观点（Mohanty等人，Phys.Rev.Lett. 78, 3366 (1997)）。我们认为，经常观察到的相位相干时间饱和是由外部微波噪声引起的。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/9803067,
title = {Decoherence and the Thouless Crossover in One-Dimensional Conductors},
author = {Yu. B. Khavin and M. E. Gershenson and A. L. Bogdanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9803067},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures; the final version to appear in Phys. Rev. Lett