具有自洽库非弹性散射的一维导体中的电子输运

我们提出了D'Amato和Pastawski关于一维导体中电子输运工作的扩展,该导体由紧束缚晶格哈密顿量建模,其中非弹性散射通过将晶格的每个位点连接到一维引线来纳入。该模型包含了Büttiker关于退相干探针的原始思想。这里我们考虑有限温度,并研究在施加化学势和温度梯度下通过链的电输运和热输运。我们的方法涉及量子朗之万方程和非平衡格林函数。在线性响应极限下,我们能够精确求解该模型并获得各种输运系数的表达式。标准线性响应关系被证明是有效的。我们还明确计算了热耗散,并表明对于长度$N >> \ell$的导线,其中$\ell$是相干长度尺度,耗散沿导线均匀发生。对于$N << \ell$,当输运是弹道时,耗散主要发生在接触处。在欧姆输运和弹道输运之间的中间范围内,我们发现化学势分布在本体中呈线性,在边界处有急剧跳跃。这些现象用一个简单模型来解释,其中向左和向右运动的电子表现为持续随机游走者。